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HiPIMS--高離化率
HiPIMS在高峰值電流500-1000A下，對金屬靶材Ti，Cr，Cu，Ta，TiAl，CrAl等形成高離化率輝光，離化率能達(dá)到80%以上。
HiPIMS--高結(jié)合力
HiPIMS高離化率配合脈沖偏壓電源同步實現(xiàn)對金屬離子的能量與分布進(jìn)行調(diào)控，對基底進(jìn)行金屬離子刻蝕清洗，實現(xiàn)在金屬和陶瓷、玻璃、光纖等絕緣基底實現(xiàn)高結(jié)合力，TiN在高速鋼劃痕結(jié)合力85N，在陶瓷基底金屬化Cu結(jié)合力測試達(dá)到115N/mm2。
HiPIMS--高致密性
HiPIMS高離化率使得在沉積硬質(zhì)涂層與金屬涂層時，更易調(diào)控金屬離子對膜層的轟擊，能實現(xiàn)膜層的高致密性生長，與傳統(tǒng)DC/MF模式比較，膜層斷面致密光滑；在光纖金屬化焊接后，密封性能測試能達(dá)到4.4*10-9 Pa.m3/s。
HiPIMS--高繞射性（3D鍍膜均勻性）
HiPIMS電源在瞬間形成高峰值電流，形成高密度等離子體，使得異性工件成膜均勻性大幅提升，在側(cè)面、凹孔、通孔等形狀內(nèi)部也能形成均勻致密涂層；HiPIMS技術(shù)沉積孔內(nèi)側(cè)壁處膜層致密光滑，孔內(nèi)金屬層方塊電阻更均勻且更低。
HiPIMS--微深孔鍍膜能力
HiPIMS形成超高密度等離子體與脈沖偏壓的脈沖同步配合，通過金屬離子濺射沉積和刻蝕方式實現(xiàn)微深孔內(nèi)壁金屬化（孔徑40um，孔深500um）；在陶瓷微孔（深徑比為12）內(nèi)壁金屬化膜層均勻致密，接近垂直生長。
HiPIMS--高亮度
HiPIMS形成超高密度等離子體，實現(xiàn)靶材和反應(yīng)氣體的高離化率，得到高致密和表面光滑膜層。HiPIMS制備TiN亮度L值達(dá)到76.3，高于傳統(tǒng)MF亮度值8個點。TiCN玫瑰金亮度L值達(dá)到65，接近多弧裝飾鍍亮度值。
HiPIMS--刃口低損傷DLC涂層
HiPIMS超高離化率在脈沖偏壓等離子體鞘層作用下，膜層在刃口處均勻包裹生長，能保持刃口鋒利度；結(jié)合PECVD方法制備低損傷DLC涂層，硬度1500Hv，摩擦系數(shù)低于0.15，HSS結(jié)合力HF1，摻雜Ag，Cu具備抗菌效果。
HiPIMS--光學(xué)鍍膜領(lǐng)域
HiPIMS濺射靶材與反應(yīng)氣體高離化率，使Ti、Nb、Si靶與氧氣反應(yīng)濺射不會靶中毒，不存在遲滯曲線現(xiàn)象；制備的光學(xué)薄膜其致密度高，折射率相對更高，成膜的應(yīng)力底。
