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在HiPIMS磁控濺射中能產(chǎn)生高達(dá)1000A的峰值電流，能對(duì)金屬靶材產(chǎn)生高的離化率，由于脈沖占空比低1-10%，其平均功率與普通磁控濺射一致，不會(huì)增加靶材冷卻量。因此HiPIMS技術(shù)綜合了磁控濺射低溫沉積，膜層表面光滑特性與電弧離子鍍高離化率，膜基結(jié)合力強(qiáng)，膜層致密的優(yōu)點(diǎn)，在控制涂層微觀組織、降低涂層內(nèi)應(yīng)力，增強(qiáng)韌性，提高膜層平整性方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。
新鉑HiPIMS技術(shù)優(yōu)勢(shì)
新鉑創(chuàng)始人從2008年開始率先在國(guó)內(nèi)開展HiPIMS電源及技術(shù)研究，自主開發(fā)HiPIMS復(fù)合DC電源，同時(shí)配合HiPIMS脈沖與脈沖偏壓的同步技術(shù)，結(jié)合等離子體特點(diǎn)，可精準(zhǔn)調(diào)控濺射過程中的離子原子比，實(shí)現(xiàn)特定膜層結(jié)構(gòu)的控制生長(zhǎng)。
1、自主開發(fā)HiPIMS復(fù)合DC電源技術(shù)
定制化高能脈沖復(fù)合電源，實(shí)現(xiàn)高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）的超高密度等離子體產(chǎn)生的高金屬離化率，同時(shí)復(fù)合直流磁控濺射（DCMS）的高濺射速率，具備快速滅弧（2uS）可控復(fù)合波形，可靈活控制濺射材料的離子原子比，實(shí)現(xiàn)控制膜層生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)高致密性兼顧高沉積速率。
2、HiPIMS與脈沖偏壓脈沖同步技術(shù)
HiPIMS電源配合自主開發(fā)的80K脈沖偏壓電源，可以靈活調(diào)控偏壓電源與HiPIMS電源的脈沖同步，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬離子精準(zhǔn)控制，避免Ar離子等雜質(zhì)離子對(duì)膜層的轟擊，進(jìn)一步降低膜層應(yīng)力，增強(qiáng)膜層韌性。
3、HiPIMS特定工藝定制開發(fā)能力
針對(duì)不同行業(yè)的特殊應(yīng)用，可以基于20年的HiPIMS電源開發(fā)及HiPIMS工藝經(jīng)驗(yàn)，從材料出發(fā)，基于等離子體體底層為客戶定制不同的電源復(fù)合波形，配合磁控濺射等離子體源，到量產(chǎn)整機(jī)定制，提供整套解決方案。目前已在醫(yī)療行業(yè)表面改性、陶瓷金屬化、及低損傷DLC、刀具刃口行業(yè)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。