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HiPIMS自組織放電高分辨光譜影像學(xué)
因磁場約束，以及超高功率放電，高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）在放電過程中會存在局部放電增強(qiáng)而導(dǎo)致輝光閃爍的不穩(wěn)定現(xiàn)象。當(dāng)不穩(wěn)定輝光存在時(shí)，其放電狀態(tài)也有很大差異，輝光會形成不同的放電組織和斑圖形式。伴隨著這些增強(qiáng)型斑圖輝光放電，其內(nèi)部粒子成分放電狀態(tài)如激發(fā)與電離存在差異，如何直觀研究這些變化，高分辨光譜影像學(xué)是一種有效的手段，可直觀觀察不穩(wěn)定區(qū)域的放電形式與變化。
直流偏壓對HMDSO制備C：SiOX膜層性能的影響
HMDSO制備C：SiOX膜層具有優(yōu)異的耐腐蝕性能，上篇講到HMDSO/O2比例對膜層成分，耐腐蝕性能與硬度影響。在整個(gè)鍍膜過程中，偏壓也是影響HMDSO制備的C：SiOX膜層性能的因素之一。
鋼管內(nèi)壁沉積的類金剛石膜層的耐腐蝕性能
類金剛石碳(DLC)涂層具有高耐磨性、摩擦系數(shù)極低、耐腐蝕性高的優(yōu)良性能。由于這些優(yōu)良的性能，DLC涂層在石油天然氣、半導(dǎo)體、醫(yī)療和汽車等行業(yè)中引起了廣泛的關(guān)注。
HiPIMS反應(yīng)濺射制備SiO2-Ta2O5光學(xué)干涉膜
在Si靶和Ta靶氧反應(yīng)濺射時(shí)，用合適的HiPIMS脈沖參數(shù)可以抑制進(jìn)氣遲滯回線，在沒有氣體控制器下也能保證工藝穩(wěn)定性。
HiPIMS有無局部離化區(qū)的放電對比研究
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）因磁場約束放電，其靶材附近的放電形式變化多樣。放電的不穩(wěn)定性，等離子體均勻性，等離子體的磁約束情況都是非常值得研究的內(nèi)容，如等離子體局部離化，電子逃逸等導(dǎo)致的等離子體形狀變化如條形斑圖，環(huán)狀斑圖等。
