真空鍍膜和電鍍的區(qū)別
真空鍍膜和電鍍都是常見的表面處理技術(shù),用于改善物體外觀和性能。它們有一些共同點,但也存在著一些明顯的區(qū)別。下面我將詳細介紹這兩種技術(shù)的區(qū)別。
HiPIMS:簡單的方法就能調(diào)控磁控濺射中的金屬/氣體離子比?
1)磁控濺射:HiPIMS中簡單的脈寬變化,就能調(diào)控膜層中的金屬/氣體離子比。
2)常規(guī)的磁控靶換成HiPIMS電源就可以達到上述效果。
不平凡的釩靶HiPIMS(放電區(qū)直徑約30mm放電電流達140A)
金屬釩(V)作為一種高熔點的稀有金屬材料,常與鈮、鉭、鎢、鉬并稱為難熔金屬。金屬釩具有耐鹽酸和硫酸的性能,并且耐氣-鹽-水腐蝕的性能要比大多數(shù)不銹鋼好。在某些特殊的重要場合,金屬V薄膜常被用來作為高溫隔離防護涂層,因此開展V靶HIPIMS放電特性方面的研究工作具有重要的意義。
6種靶材HiPIMS放電大不相同,設計工藝要知道!
HiPIMS放電,由于工作在放電曲線的特殊區(qū)域,其放電特性不僅依賴于使用的氣壓、電壓,更依賴于靶材。更由于HiPIMS工作模式是脈沖工作,其放電特性具有時間特征,而表現(xiàn)出不同的放電特性。這里我們選用常用的幾種靶材(Cu,Cr,Mo,Ti,V和C),給出了他們的放電特性。這種與時間相關(guān)的放電特性,對于工藝設計是非常重要的。
高引燃脈沖新HiPIMS模式下薄膜摩擦系數(shù)可降低到0.25
多層薄膜能顯著改善復雜環(huán)境下部件的性能和壽命,為獲得性能良好的膜層,研發(fā)團隊提出了一種高引燃脈沖新HiPIMS放電技術(shù)。增加引燃脈沖的個數(shù),強化了膜層的結(jié)合力,硬度以及摩擦磨損的性能。
新HiPIMS放電模式制備薄膜表面粗糙度僅為4.123nm
為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術(shù)特征,我們在研究中提出一種新型的HiPIMS放電模式,即電-磁場協(xié)同增強HiPIMS技術(shù),該技術(shù)以外置電場和磁場雙場協(xié)同增強常規(guī)HiPIMS放電,增加濺射粒子離化率,改善薄膜的的沉積速率,制備的膜層性能優(yōu)異。