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雙極HiPIMS調(diào)控生長(zhǎng)高致密性銅薄膜
正如前文“雙極HiPIMS調(diào)控薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的離子能量”中我們講到對(duì)于HiPIMS放電在負(fù)向脈沖放電完成后加一定正向脈沖，可以提高HiPIMS放電后的等離子體電勢(shì)，從而加速到達(dá)基底的離子的能量，提高薄膜生長(zhǎng)速率與質(zhì)量。
管筒內(nèi)壁真空鍍膜方法簡(jiǎn)介
管筒內(nèi)表面處理的方式最早采用的是電鍍方法，但電解液污染環(huán)境。后來(lái)采用真空鍍膜方法來(lái)處理管狀構(gòu)件內(nèi)表面，包括化學(xué)氣相沉積( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition，PVD)。
六甲基二硅氧烷（HMDSO）前驅(qū)體制備耐腐蝕薄膜
金屬制品是生活中不可或缺的，大到輪船飛機(jī)，小到鐵釘螺絲?，F(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，是以金屬為骨骼，但是金屬在使用過(guò)程中極易腐蝕。防腐蝕工藝有很多種，真空鍍膜就是其一。
HiPIMS靶材濺射速率
HiPIMS由于高峰值電流及其高離化率，可以得到性能優(yōu)異的致密膜層，伴隨而來(lái)的HiPIMS濺射速率也會(huì)相對(duì)更低，本文將分析HiPIMS濺射速度低的原因及可能的改進(jìn)方法。
HiPIMS反應(yīng)濺射特性
HiPIMS電源在高致密性硬質(zhì)涂層中有很好工業(yè)化利用，但是光學(xué)應(yīng)用中的案例還不多，本文將介紹HiPIMS反應(yīng)濺射模式下的特性。
HiPIMS自組織放電高分辨光譜影像學(xué)
因磁場(chǎng)約束，以及超高功率放電，高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）在放電過(guò)程中會(huì)存在局部放電增強(qiáng)而導(dǎo)致輝光閃爍的不穩(wěn)定現(xiàn)象。當(dāng)不穩(wěn)定輝光存在時(shí)，其放電狀態(tài)也有很大差異，輝光會(huì)形成不同的放電組織和斑圖形式。伴隨著這些增強(qiáng)型斑圖輝光放電，其內(nèi)部粒子成分放電狀態(tài)如激發(fā)與電離存在差異，如何直觀研究這些變化，高分辨光譜影像學(xué)是一種有效的手段，可直觀觀察不穩(wěn)定區(qū)域的放電形式與變化。
直流偏壓對(duì)HMDSO制備C：SiOX膜層性能的影響
HMDSO制備C：SiOX膜層具有優(yōu)異的耐腐蝕性能，上篇講到HMDSO/O2比例對(duì)膜層成分，耐腐蝕性能與硬度影響。在整個(gè)鍍膜過(guò)程中，偏壓也是影響HMDSO制備的C：SiOX膜層性能的因素之一。
鋼管內(nèi)壁沉積的類(lèi)金剛石膜層的耐腐蝕性能
類(lèi)金剛石碳(DLC)涂層具有高耐磨性、摩擦系數(shù)極低、耐腐蝕性高的優(yōu)良性能。由于這些優(yōu)良的性能，DLC涂層在石油天然氣、半導(dǎo)體、醫(yī)療和汽車(chē)等行業(yè)中引起了廣泛的關(guān)注。